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分立半导体
A3G20S250-01SR3参考图片

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A3G20S250-01SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G20S250-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
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库存:9,861(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥725.8329
725.8329
5
¥702.3967
3511.9835
10
¥688.3282
6883.282
25
¥644.9927
16124.8175
100
¥622.7882
62278.82
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN Si
Id-连续漏极电流
250 mA
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
18.2 dB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-400S-2
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1800 MHz to 2200 MHz
系列
A3G20S250
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935377832118
商品其它信息
优势价格,A3G20S250-01SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
1:¥41.7987
10:¥35.5724
100:¥30.8151
250:¥29.1992
1,000:¥22.1254
2,000:查看
参考库存:8652
分立半导体
稳压二极管 12V 200mW
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:97124
分立半导体
整流器 8.0 Amp 300 Volt
1:¥10.9158
10:¥9.2999
100:¥7.1077
500:¥6.2828
1,000:¥4.9607
参考库存:9556
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1:¥8.2264
10:¥7.0738
100:¥5.4353
500:¥4.8025
5,000:¥3.3674
10,000:查看
参考库存:29023
分立半导体
MOSFET MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥7.0286
1,000:¥5.8195
参考库存:31915
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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