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APTGT150A120TG

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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¥758.0266
75802.66
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
220 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
690 W
封装 / 箱体
SP4
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格，APTGT150A120TG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SZBZX84C15LT3G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZEN REG .225W 15V
1:¥1.07576
10:¥1.02943
100:¥0.36838
1,000:¥0.24634
10,000:¥0.16159
20,000:查看
参考库存:113051
PEMT1,315
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200mW 2xPNP gen purpose transist
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
8,000:¥0.37629
24,000:查看
参考库存:47863
GBJ602-F
Diodes Incorporated
分立半导体
桥式整流器 6.0A 200V
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9495
500:¥6.1359
1,000:¥4.8364
参考库存:4940
DDTB114GU-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:13852
TK10A60W5,S5VX
Toshiba
分立半导体
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥15.7522
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.9157
参考库存:4794

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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