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分立半导体
QPD2195SR参考图片

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QPD2195SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
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100
¥1,349.8528
134985.28
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20.4 dB
晶体管极性
N-Channel
输出功率
400 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 GHz to 2.2 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD2195PCB4B01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD2195SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Turbo 2 ultrafast high voltage rectifier
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5314
500:¥5.7743
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1:¥3.7629
10:¥2.8589
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
1,500:¥0.99892
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肖特基二极管与整流器 60V 30A SMPD(TO-263AC)
1:¥13.9894
10:¥11.6051
100:¥8.9948
500:¥7.91
1,000:¥6.4975
2,000:¥6.4975
参考库存:13135
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100V Vr 30A Io SBD TO-263S(D2PAK) 5A
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4128
500:¥6.5427
1,000:¥5.1641
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分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS Transistor
1:¥1,908.8638
5:¥1,868.5906
10:¥1,828.1818
25:¥1,782.0778
50:¥1,735.8156
参考库存:3259
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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