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分立半导体
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PTFB213004F-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥1,097.7385
54886.925
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
增益
18 dB
输出功率
300 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275-6/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB213004F-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FFSD1065B-F085
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 650V 10A SIC SBD G EN1.5
1:¥44.7932
10:¥38.0358
100:¥33.0412
250:¥31.3462
2,500:¥22.5096
参考库存:13603
PSMN5R6-60YLX
Nexperia
分立半导体
MOSFET PSMN5R6-60YL/LFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥6.4523
10:¥5.3336
100:¥3.4465
1,000:¥2.7459
1,500:¥2.3278
参考库存:74615
JAN1N5415US
Microsemi
分立半导体
整流器 UFR,FRR
1:¥104.2764
10:¥94.8183
25:¥87.6767
50:¥82.9081
参考库存:1977
FDC6312P
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET SSOT-6 P-CH DUAL
1:¥3.0736
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.03734
参考库存:56429
IPD068N10N3GATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MV POWER MOS
1:¥16.5206
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.831
2,500:¥7.5936
5,000:查看
参考库存:49616

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    50万现货SKU

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