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分立半导体
SQD100N02_3M5L4GE3参考图片

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SQD100N02_3M5L4GE3

  • Vishay
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 20V Vgs TO-252
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库存:28,886(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥4.1245
10311.25
5,000
¥3.9211
19605.5
10,000
¥3.7742
37742
25,000
¥3.6612
91530
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay
正向跨导 - 最小值
186 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格,SQD100N02_3M5L4GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60V 3A 3-PIN
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:19059
分立半导体
MOSFET P-Ch -30V -14.8A DSO-8 OptiMOS 3P3
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
2,500:¥3.1753
参考库存:16246
分立半导体
MOSFET N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH
1:¥22.5887
10:¥19.21
100:¥15.368
500:¥13.447
参考库存:8323
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.4182
1,000:¥1.9323
2,500:¥1.6385
参考库存:32640
分立半导体
MOSFET MOSFT 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
4,000:¥2.825
参考库存:16027
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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