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分立半导体
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MRF8S9200NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2
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数量单价合计
250
¥631.1615
157790.375
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
19.5 dB
输出功率
58 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
920 MHz to 960 MHz
系列
MRF8S9200N
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935314116528
单位重量
3.081 g
商品其它信息
优势价格，MRF8S9200NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STD130N6F7
STMicroelectronics
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MOSFET N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥6.9947
500:¥6.1811
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100:¥1.1865
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10:¥1.3334
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
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100:¥47.5617
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整流器 100 Volt 70 Amp
1:¥84.8291
10:¥76.3767
50:¥69.6193
100:¥44.8723
参考库存:28734

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