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TVS二极管
MMBZ6V2ALT1G参考图片

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MMBZ6V2ALT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • ESD 抑制器/TVS 二极管 6.2V 225mW Dual Common Anode
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1.6159
10
¥1.469
14.69
100
¥0.52206
52.206
1,000
¥0.34578
345.78
3,000
¥0.26894
806.82
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
ESD 抑制器/TVS 二极管
RoHS
系列
MMBZxxxALT1
产品类型
ESD Suppressors
Vesd - 静电放电电压触点
30 kV
Vesd - 静电放电电压气隙
-
极性
Unidirectional
通道数量
2 Channel
端接类型
SMD/SMT
击穿电压
5.89 V
工作电压
3 V
钳位电压
8.7 V
Ipp - 峰值脉冲电流
2.76 A
Cd - 二极管电容
-
封装 / 箱体
SOT-23-3
峰值脉冲功耗 (Pppm)
24 W
Pd-功率耗散
300 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
工厂包装数量
3000
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
Vf - 正向电压
0.9 V
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格,MMBZ6V2ALT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:39156
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    保证原装正品

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