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晶体管
CSD83325L参考图片

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CSD83325L

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 12V Dual N ch MOSFET
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库存:18,296(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.5312
253.12
1,000
¥2.034
2034
3,000
¥1.7176
5152.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
11.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
10.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.2 mm
长度
2.2 mm
系列
CSD83325L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.15 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
36 S
下降时间
589 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
353 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
711 ns
典型接通延迟时间
205 ns
单位重量
1.500 mg
商品其它信息
优势价格,CSD83325L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V -6.7A P-Channel
1:¥6.4523
10:¥5.3788
100:¥3.4691
1,000:¥2.7798
3,000:¥2.3391
参考库存:31197
晶体管
MOSFET 60V N-Chan DualCool PowerTrench MOSFET
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
3,000:¥7.0625
6,000:查看
参考库存:19469
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥7.684
10:¥6.5879
100:¥5.0624
500:¥4.4748
1,000:¥3.5369
5,000:¥3.5369
参考库存:74901
晶体管
MOSFET Automotive MOSFET 1 100V, 26 mOhm, DPAK
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
3,000:¥5.989
6,000:查看
参考库存:14433
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥32.3519
10:¥27.4364
100:¥23.8204
250:¥22.5887
参考库存:4630
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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