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晶体管
ZDT694TA参考图片

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ZDT694TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN Medium Power
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数量单价合计
1
¥8.6106
8.6106
10
¥7.3563
73.563
100
¥5.65
565
500
¥4.9946
2497.3
1,000
¥3.9437
3943.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SM-8
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
120 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZDT694
直流电流增益 hFE 最大值
500
高度
1.6 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
500 at 100 mA, 2 V, 400 at 200 mA, 2 V, 150 at 400 mA, 2 V
Pd-功率耗散
2.75 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,ZDT694TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥6.0116
500:¥5.311
1,000:¥4.1923
5,000:¥4.1923
参考库存:29784
晶体管
IGBT 模块 600 Volt 50 Amp Half Bridge
1:¥457.198
5:¥448.8247
10:¥430.304
25:¥416.7779
参考库存:4206
晶体管
MOSFET N-Channel DMOS FET Low Threshold 2.0V
1:¥6.4523
10:¥6.3958
25:¥5.3788
100:¥4.9042
2,000:¥3.3448
4,000:查看
参考库存:10888
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
5,000:¥2.5538
10,000:查看
参考库存:16015
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥16.1364
250:¥15.2889
500:¥13.673
800:¥13.673
参考库存:14622
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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