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晶体管
FGB3245G2-F085参考图片

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FGB3245G2-F085

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数量单价合计
1
¥20.4417
20.4417
10
¥17.3681
173.681
100
¥13.9103
1391.03
500
¥12.1362
6068.1
800
¥10.0683
8054.64
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
集电极—射极饱和电压
1.64 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
23 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGB3245G2_F085
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
23 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
FGB3245G2_F085
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FGB3245G2-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
1:¥289.2235
5:¥286.229
10:¥266.7139
25:¥254.8037
参考库存:28991
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 1800A
1:¥6,747.7837
5:¥6,639.9026
参考库存:28996
晶体管
MOSFET 12V P-CH MOSFET
3,000:¥2.0792
参考库存:29001
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 2300pF 35nC 8.0mOhm 63A 61W
5,000:¥4.9155
10,000:¥4.7234
参考库存:29006
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1002GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,475.6331
参考库存:29011
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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