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晶体管
IRGB4630DPBF参考图片

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IRGB4630DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V TRENCH IGBT ULTRAFAST
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库存:4,795(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.657
32.657
10
¥27.7415
277.415
100
¥24.0464
2404.64
250
¥22.826
5706.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220AB-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
47 A
Pd-功率耗散
206 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001537630
单位重量
3.175 g
商品其它信息
优势价格,IRGB4630DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PT9 30V/12V Nch PowerTrench SyncFET
1:¥15.142
10:¥12.8368
100:¥10.2943
500:¥8.9948
3,000:¥6.9495
6,000:查看
参考库存:23675
晶体管
MOSFET T6 40VNCH LL IN U8FL WF
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
1,500:¥2.3843
参考库存:45982
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 100V 132A 4.8M
1:¥50.7935
10:¥43.1886
100:¥37.4256
250:¥35.5046
1,500:¥25.5154
参考库存:9634
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥9.6841
10:¥8.2942
100:¥6.3732
500:¥5.6274
1,000:¥4.4522
参考库存:10081
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W 1030-1090MHz
1:¥2,707.3783
5:¥2,544.2515
参考库存:3543
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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