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晶体管
IKW75N60H3FKSA1参考图片

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IKW75N60H3FKSA1

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库存:5,159(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥64.9298
64.9298
10
¥58.7035
587.035
25
¥55.935
1398.375
100
¥48.5674
4856.74
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
428 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW75N60H3 IKW75N6H3XK SP000906806
单位重量
4.430 g
商品其它信息
优势价格,IKW75N60H3FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥366.9901
5:¥354.6166
10:¥343.0906
25:¥317.3492
参考库存:1937
晶体管
IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
1:¥1,260.8653
5:¥1,230.5926
10:¥1,200.0148
25:¥1,183.1778
参考库存:1889
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:26421
晶体管
MOSFET TRENCH-200
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:26426
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:26431
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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