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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	47
最大工作频率	200 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	500 mA
峰值直流集电极电流	- 500 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTx
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	0.95 mm
长度	2.9 mm
输出电压	- 100 mV
宽度	1.3 mm
商标	ROHM Semiconductor
最大直流电集电极电流	- 500 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTB143EC
单位重量	8 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NSVMUN531335DW1T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR NPN/PNP 5	1:¥3.6838 10:¥2.5877 100:¥1.1865 1,000:¥0.91417 3,000:¥0.77631	参考库存:41043
STLD200N4F6AG	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 dual side cooling package	1:¥19.9784 10:¥16.9839 100:¥13.6052 500:¥11.9102	参考库存:8500
EFC3J018NUZTDG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN	1:¥6.3732 10:¥5.3788 100:¥4.1358 500:¥3.6612 5,000:¥2.5538 10,000:查看	参考库存:26197
BSC350N20NSFDATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS	1:¥21.7412 10:¥18.5207 100:¥14.7578 500:¥12.9046 5,000:¥9.605 10,000:查看	参考库存:19129
FD1000R33HL3-K	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块	1:¥16,300.7585	参考库存:1681