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晶体管
IRFB3256PBF参考图片

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IRFB3256PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, 60V, 210A, 3 130 nC Qg, TO-220AB
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数量单价合计
1
¥21.2101
21.2101
10
¥18.0574
180.574
100
¥15.6731
1567.31
250
¥14.8256
3706.4
500
¥13.2888
6644.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
210 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
130 nC
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
88 S
下降时间
64 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
77 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
SP001577830
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRFB3256PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RN2131MFV(TPL3)
Toshiba
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双极晶体管 - 预偏置 -50volts 100mA 3Pin 100Kohmsx0ohms
暂无价格
参考库存:32113
2N3724UB/TR
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥157.9062
200:¥144.8434
500:¥137.9278
参考库存:32118
JANTX2N6987/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥309.281
250:¥288.6924
参考库存:32123
TPC8049-H(TE12L,Q)
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暂无价格
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STW12NK95Z
STMicroelectronics
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MOSFET N-Ch 950V - 0.69 10A Zener SuperMESH
1:¥39.7986
10:¥33.8096
100:¥29.3574
250:¥27.8206
参考库存:5978

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    50万现货SKU

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