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晶体管
ZXTN2010ZQTA参考图片

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ZXTN2010ZQTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor
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库存:6,476(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
1,000
¥3.4578
3457.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
190 V
发射极 - 基极电压 VEBO
8.1 V
集电极—射极饱和电压
230 mV
最大直流电集电极电流
20 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN2010
直流电流增益 hFE 最大值
300
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
5 A
Pd-功率耗散
1.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,ZXTN2010ZQTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 33A 56mOhm 60nC
1:¥21.7412
10:¥18.4416
100:¥15.9782
250:¥15.142
500:¥13.6052
800:¥13.6052
参考库存:16626
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 2.4A Micro 8
1:¥4.9946
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
4,000:¥1.8193
参考库存:12833
晶体管
MOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
参考库存:106540
晶体管
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
1,500:¥1.7063
参考库存:127512
晶体管
MOSFET 30V 4.0A 1.25W 53 mohms @ 10V
1:¥5.2206
10:¥4.2262
3,000:¥4.2262
参考库存:59299
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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