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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	20
集电极连续电流	- 0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDTA123
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	20
高度	1 mm
长度	2.2 mm
类型	PNP Pre-Biased Small Signal SOT-323 Surface Mount Transistor
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	5 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BSC014N06NS	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS	1:¥20.6677 10:¥17.5941 100:¥15.2098 250:¥14.4414 500:¥12.9837 5,000:¥12.9837	参考库存:3793
IPI50N10S3L-16	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 100V 50A I2PAK-3 OptiMOS-T	1:¥11.3678 10:¥9.6841 100:¥7.7631 500:¥6.8026	参考库存:5745
SNSS20101JT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN LOW VCE(SAT)	1:¥3.616 10:¥2.7233 100:¥1.4803 1,000:¥1.10627 3,000:¥0.95259	参考库存:33302
SI7326DN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 10A 3.5W 19.5mohm @ 10V	1:¥6.9947 10:¥5.6387 100:¥4.2827 500:¥3.5369 1,000:¥2.825 3,000:¥2.5651	参考库存:19544
ZXTC6720MCTA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 80V NPN 70V PNP VCEO 80V Rsat 68mOhm	1:¥6.3054 10:¥5.2432 100:¥3.3787 1,000:¥2.7007 3,000:¥2.7007	参考库存:23441