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晶体管
IKP10N60T参考图片

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IKP10N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
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数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2943
102.943
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.2094
3604.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
110 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
15.95 mm
长度
10.36 mm
宽度
4.57 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKP10N60TXKSA1 IKP1N6TXK SP000683062
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IKP10N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SC70-6 P-CH -25V
1:¥3.5369
10:¥2.9719
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
3,000:¥1.1978
参考库存:49542
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3786
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:9334
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 20 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥8.2942
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
参考库存:18606
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 50V
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8591
500:¥6.0681
参考库存:5923
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTA124EQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:29550
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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