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晶体管
IKP06N60T参考图片

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IKP06N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 6A
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库存:3,073(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.1363
14.1363
10
¥12.0684
120.684
100
¥9.605
960.5
500
¥8.4524
4226.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
9.25 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKP06N60TXKSA1 IKP6N6TXK SP000683056
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IKP06N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥8.8366
10:¥7.571
100:¥5.8082
500:¥5.1415
1,000:¥4.0567
5,000:¥4.0567
参考库存:25910
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V 0.5A 0.2W SOT-323
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89157
参考库存:15967
晶体管
MOSFET 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
3,000:¥4.0906
参考库存:30774
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥5.1528
10:¥4.3166
100:¥2.7911
1,000:¥2.2374
5,000:¥2.2374
参考库存:49268
晶体管
MOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2
1:¥13.3679
10:¥11.3678
100:¥9.0626
500:¥7.9891
2,500:¥6.1585
5,000:查看
参考库存:13520
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    科技智能大仓储

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