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晶体管
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IKW30N60H3

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库存:1,637(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.9621
32.9621
10
¥27.9675
279.675
100
¥24.2837
2428.37
250
¥23.052
5763
500
¥20.6677
10333.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW30N60H3FKSA1 IKW3N6H3XK SP000703042
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,IKW30N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
1:¥6.6105
10:¥5.65
100:¥4.3392
500:¥3.8307
1,000:¥3.0284
4,000:¥3.0284
参考库存:64221
晶体管
达林顿晶体管 50A 60V Bipolar Power NPN
1:¥120.8648
10:¥111.1129
20:¥106.5816
50:¥106.5025
参考库存:4313
晶体管
MOSFET PFET TSOP6 30V 4.7A 60MOH
1:¥6.5314
10:¥5.6274
100:¥4.3279
500:¥3.8307
3,000:¥2.6781
9,000:查看
参考库存:18245
晶体管
MOSFET 200V 57A 300W
1:¥36.1148
10:¥29.8885
100:¥24.5888
250:¥23.8204
500:¥21.357
参考库存:6862
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥5.2997
10:¥4.0115
100:¥2.9832
500:¥2.4408
3,000:¥1.7176
6,000:查看
参考库存:48099
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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