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晶体管
BSZ100N03LS G参考图片

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BSZ100N03LS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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库存:12,429(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.4748
44.748
100
¥2.8815
288.15
1,000
¥2.3052
2305.2
5,000
¥1.9549
9774.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns
零件号别名
BSZ100N03LSGATMA1 BSZ1N3LSGXT SP000304135
商品其它信息
优势价格,BSZ100N03LS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
1:¥21.2892
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:6665
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥8.2264
10:¥6.9608
100:¥5.3449
500:¥4.7234
1,000:¥3.729
2,500:¥3.3109
参考库存:5607
晶体管
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms 29nC
1:¥7.9891
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.6556
1,000:¥3.6838
2,000:¥3.6838
参考库存:20344
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
1:¥55.709
10:¥50.1042
25:¥45.6407
100:¥41.1885
参考库存:3641
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 140A
1:¥1,183.1778
5:¥1,154.6792
10:¥1,126.0111
25:¥1,110.2589
参考库存:3433
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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