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晶体管
QS6M4TR参考图片

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QS6M4TR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6612
36.612
100
¥2.2374
223.74
1,000
¥1.7289
1728.9
3,000
¥1.695
5085
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-457T-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V, 20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
QS6M4
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
18 ns, 12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns, 12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 45 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 10 ns
零件号别名
QS6M4
单位重量
14 mg
商品其它信息
优势价格,QS6M4TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥626.3251
100:¥612.7199
参考库存:38018
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥69.9244
200:¥63.7772
500:¥59.6301
1,000:¥54.7146
参考库存:38023
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥155.6801
250:¥143.0806
500:¥131.7806
参考库存:38028
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP High Voltage 250V 250Vceo 6.0pF
暂无价格
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor NPN 230V 15A
暂无价格
参考库存:38038
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