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晶体管
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APT200GN60J

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
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数量单价合计
1
¥257.3349
257.3349
5
¥245.8089
1229.0445
10
¥238.1249
2381.249
25
¥218.768
5469.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
283 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
682 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格，APT200GN60J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGB30H65FB
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a D2PAK package
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.8368
参考库存:8544
MTM684110LBF
Panasonic
晶体管
MOSFET PCH+PCH MOS FET FLT LD 2.9x2.8mm
3,000:¥2.486
参考库存:35008
PMDPB80XP,115
Nexperia
晶体管
MOSFET 20V, Dual P-Channel Trench MOSFET
3,000:¥1.11418
9,000:¥1.04525
24,000:¥0.9831
45,000:¥0.9605
99,000:¥0.92999
参考库存:35013
SK830321KL
Panasonic
晶体管
MOSFET 30V Dual N-ch Power MOSFET 3.3x3.25mm
5,000:¥1.5707
10,000:¥1.5142
25,000:¥1.4577
50,000:¥1.4125
参考库存:35018
DMTH10H015SPSQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
2,500:¥4.2375
参考库存:35023

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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