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晶体管
FGA50S110P参考图片

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FGA50S110P

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库存:3,614(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.3627
22.3627
10
¥18.984
189.84
100
¥16.4415
1644.15
250
¥15.594
3898.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
1100 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
300 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA50S110P
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA50S110P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch
1:¥3.2318
10:¥2.4182
100:¥1.3108
1,000:¥0.9831
8,000:¥0.791
24,000:查看
参考库存:75024
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.33787
参考库存:90766
晶体管
MOSFET -60V -15.5A P-Channel
1:¥6.9947
10:¥5.7517
100:¥3.7064
1,000:¥2.9719
2,500:¥2.5086
参考库存:116958
晶体管
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥24.3628
10:¥21.7412
100:¥17.8314
250:¥15.368
2,000:¥11.2209
参考库存:43570
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008
1:¥12.4526
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
2,000:¥5.4014
4,000:查看
参考库存:23192
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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