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晶体管
ZXMN6A08E6QTA参考图片

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ZXMN6A08E6QTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm
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库存：5,694(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
3,000
¥2.825
8475
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
8.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
ZXMN6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
6.6 S
下降时间
4.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.3 ns
典型接通延迟时间
2.6 ns
商品其它信息
优势价格，ZXMN6A08E6QTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SQ3426AEEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥5.3788
10:¥4.7008
100:¥3.9098
500:¥2.9154
3,000:¥1.9888
6,000:查看
参考库存:207055
DMTH6010LPSQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
2,500:¥4.7234
参考库存:4807
SIHA11N80E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥27.4364
10:¥22.7469
100:¥18.7467
250:¥18.1365
500:¥16.2946
参考库存:8939
CSD19536KTTT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 100V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥38.7251
10:¥34.804
50:¥34.804
100:¥28.5099
250:¥26.7358
参考库存:5656
SQJB70EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified
1:¥6.8365
10:¥5.6048
100:¥4.3053
500:¥3.7064
1,000:¥2.9154
3,000:¥2.9154
参考库存:12608

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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