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晶体管
BSS223PWH6327XTSA1参考图片

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BSS223PWH6327XTSA1

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库存:67,334(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.9097
19.097
100
¥0.79891
79.891
1,000
¥0.54579
545.79
3,000
¥0.42262
1267.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
390 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
2.5 V
Qg-栅极电荷
- 0.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW (1/4 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
系列
BSS223
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
0.35 S
下降时间
3.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5.1 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns
零件号别名
BSS223PW BSS223PWH6327XT H6327 SP000843010
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,BSS223PWH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
1:¥25.1312
10:¥21.357
100:¥18.4416
250:¥17.515
1,000:¥13.2888
2,000:查看
参考库存:25674
晶体管
MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-523
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:541176
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥1,263.6338
5:¥1,232.4345
10:¥1,202.772
25:¥1,159.0523
参考库存:2788
晶体管
MOSFET N and P Ch 30V FET 9A 1.5W 1190pF
1:¥8.4524
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
2,500:¥3.2205
10,000:查看
参考库存:22305
晶体管
MOSFET 800V, 12A N-Channel Power MOSFET
1:¥31.1993
10:¥27.8884
25:¥25.0521
100:¥22.826
参考库存:12532
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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