RN1911FETE85LF详细信息_RN1911FETE85LF相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-563
直流集电极/Base Gain hfe Min	120
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
系列	RN1911
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
商标	Toshiba
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
单位重量	3 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DTC113ZU3HZGT106	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 1kO SOT-323	1:¥2.4634 10:¥1.6611 100:¥0.69156 1,000:¥0.47686 3,000:¥0.36838	参考库存:33005
BUK6Y32-60PX	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET BUK6Y32-60P/SOT669/LFPAK	1:¥8.3733 10:¥7.0964 100:¥5.4579 500:¥4.8251	参考库存:10512
RS1E130GNTB	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET	1:¥3.9211 10:¥3.2996 100:¥2.0114 1,000:¥1.5594 2,500:¥1.3334	参考库存:14314
DMN10H220LQ-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R 3K	1:¥3.4578 10:¥2.2261 100:¥0.95259 1,000:¥0.72998 3,000:¥0.5537	参考库存:32941
RGPR30BM40HRTL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT	1:¥12.5204 10:¥10.6785 100:¥8.2264 500:¥7.232 1,000:¥5.7065 2,500:¥5.0624	参考库存:27503