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晶体管
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KSD882YS

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数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥2.9493
29.493
100
¥1.6046
160.46
1,000
¥1.2091
1209.1
2,500
¥1.03734
2593.35
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
90 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSD882
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Bulk
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
10 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
KSD882YS_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格，KSD882YS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP6050SFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V P-Ch Enh FET 20Vgss 1.8W
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:63912
NTMFS4926NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 3.1 30V 7 Ohm NCH
1:¥3.5369
10:¥2.8702
100:¥1.7515
1,000:¥1.356
1,500:¥1.1639
参考库存:14344
IRGP4062DPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
1:¥47.0984
10:¥40.0359
100:¥34.6571
250:¥32.883
参考库存:5961
SI3429EDV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
1:¥3.842
10:¥2.6329
100:¥1.7741
500:¥1.4238
3,000:¥0.9831
6,000:查看
参考库存:180148
RTQ030P02TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6
1:¥4.3053
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:17780

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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