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晶体管
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MJD350-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH VOLTAGE PNP SMT
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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.2939
229.39
1,000
¥1.7628
1762.8
2,500
¥1.5029
3757.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—基极电压 VCBO
300 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD350
直流电流增益 hFE 最大值
30 at 50 mA, 10 V
高度
2.4 mm
长度
6.8 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
6.2 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
1560 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格，MJD350-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
R6007ENX
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥15.594
10:¥13.221
100:¥10.5994
500:¥9.2208
1,000:¥7.684
参考库存:5429
IRFL214TRPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 250V HEXFET MOSFET
1:¥10.1474
10:¥8.9948
100:¥7.119
2,500:¥7.119
参考库存:12911
RAL035P01TCR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 3.5A
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:9618
SS9012GTA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP/40V/0.5A
1:¥1.7628
10:¥1.1865
100:¥0.49946
1,000:¥0.33787
2,000:¥0.26894
参考库存:103110
2N5883G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 60V 200W PNP
1:¥49.7878
10:¥45.0305
50:¥42.9513
100:¥37.2674
参考库存:5117

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    50万现货SKU

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