NSVBCP69T1G详细信息_NSVBCP69T1G相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single Dual Collector
晶体管极性	PNP
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-261-4
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
最大工作频率	60 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	20 V
集电极连续电流	1 A
Pd-功率耗散	1.5 W
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	BCP69
封装	Cut Tape
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	25 V
高度	1.65 mm
长度	6.7 mm
宽度	3.7 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	1000
子类别	Transistors
单位重量	300 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SSM3K7002CFU,LF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Small-Signal MOSFET	1:¥1.4577 10:¥1.1865 100:¥0.42262 1,000:¥0.29154 3,000:¥0.2147	参考库存:1737
2SA1313-O(TE85L,F)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz	1:¥2.7685 10:¥1.7854 100:¥0.7458 1,000:¥0.50737 3,000:¥0.3842	参考库存:16834
PBHV8515QAZ	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBHV8515QA/DFN1010D-3/REEL 7	1:¥3.6838 10:¥2.8137 100:¥1.5255 1,000:¥1.1413 5,000:¥0.9831	参考库存:16461
BSC150N03LD G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3	1:¥7.1416 10:¥6.102 100:¥4.6895 500:¥4.1471 5,000:¥2.8928 10,000:查看	参考库存:11573
RD3H045SPTL1	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Pch -45V -4.5A TO-252 (DPAK)	1:¥6.6896 10:¥5.6839 100:¥4.3618 500:¥3.8533 2,500:¥3.8533	参考库存:14360