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晶体管
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BD681S

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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8307
38.307
100
¥2.4747
247.47
1,000
¥1.9775
1977.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
200 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD681
封装
Bulk
高度
11 mm
长度
8 mm
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
BD681S_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,BD681S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
1:¥18.5998
10:¥15.8313
100:¥12.5995
500:¥10.9836
2,500:¥8.5315
5,000:查看
参考库存:19690
晶体管
MOSFET LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST
2,500:¥6.6331
5,000:¥6.3845
10,000:¥6.1359
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晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥15.0629
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2,500:¥2.0001
10,000:¥1.9323
25,000:¥1.8645
50,000:¥1.8306
参考库存:33966
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RH Small-Signal BJT
暂无价格
参考库存:33971
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    50万现货SKU

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