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晶体管
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NSVBSS63LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 DR XSTR PNP 100V
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.3165
23.165
100
¥0.99892
99.892
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 100 V
集电极—射极饱和电压
- 250 mV
最大直流电集电极电流
- 100 mA
增益带宽产品fT
95 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BSS63L
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，NSVBSS63LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N4300
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
500:¥38.7251
1,000:¥36.5781
2,000:¥35.1882
参考库存:35150
DMN1008UFDF-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥0.87575
参考库存:35155
MG12225WB-BN2MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 1200V 225A Dual
60:¥962.2628
参考库存:35160
MMRF1006HR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
50:¥3,278.2995
参考库存:35165
NVMFS5C456NLAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
5,000:¥2.4521
10,000:¥2.3617
25,000:¥2.2713
参考库存:35170

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