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晶体管
APT100GN60LDQ4G参考图片

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APT100GN60LDQ4G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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库存:1,113(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥113.8023
113.8023
10
¥103.4289
1034.289
25
¥95.6658
2391.645
50
¥90.4452
4522.26
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
229 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
229 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
229 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
10.600 g
商品其它信息
优势价格,APT100GN60LDQ4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 10A, 20V Dual N Chan Mosfet,
1:¥4.7686
10:¥3.7064
100:¥2.5538
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.1639
参考库存:3317
晶体管
MOSFET PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE
1:¥13.2888
10:¥11.30
100:¥9.0626
500:¥7.91
1,000:¥6.5427
参考库存:5654
晶体管
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 60nC
1:¥14.9838
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9157
800:¥8.9157
参考库存:4306
晶体管
MOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm
5,000:¥2.0566
10,000:¥1.9775
25,000:¥1.9097
参考库存:25946
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥13.9103
500:¥12.1362
1,000:¥10.0683
参考库存:5408
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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