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晶体管
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APT75GP120J

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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数量单价合计
1
¥312.7388
312.7388
2
¥304.2073
608.4146
5
¥295.834
1479.17
10
¥287.3816
2873.816
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
在25 C的连续集电极电流
128 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
543 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格，APT75GP120J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF7319TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
4,000:¥3.1753
参考库存:18740
ZXMN3A02X8TA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V N Chnl UMOS
1:¥10.6785
10:¥9.0626
100:¥7.006
500:¥6.1924
1,000:¥4.8816
参考库存:8402
FDMS5352
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V N-Channel PowerTrench
1:¥20.7468
10:¥17.6732
100:¥14.1363
500:¥12.3735
3,000:¥9.5259
6,000:查看
参考库存:35374
IRF7807ZTRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 11A 13.8mOhm 7.2nC
1:¥5.4579
10:¥4.5878
100:¥2.9606
1,000:¥2.3617
4,000:¥2.3617
参考库存:36056
STR2N2VH5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 20V 0.025Ohm 23A STripFET V
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
3,000:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:23853

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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