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晶体管
APT50GN60BDQ2G参考图片

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APT50GN60BDQ2G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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库存:4,198(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥71.4612
71.4612
10
¥64.3196
643.196
25
¥58.5566
1463.915
100
¥52.8614
5286.14
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
107 A
Pd-功率耗散
366 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
107 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
107 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT50GN60BDQ2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
1,000:¥8.2942
2,500:¥8.2942
参考库存:29103
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 60V
1:¥4.9946
10:¥3.8646
100:¥3.3787
250:¥2.938
参考库存:27935
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vds 60Vdg 40Vgs
1:¥3.6838
10:¥2.7007
100:¥1.5481
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
参考库存:17972
晶体管
MOSFET Dual N-CH 60V 115mA
1:¥4.5313
10:¥3.277
100:¥1.9323
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.70738
参考库存:820454
晶体管
MOSFET 30V P-CH MOSFET
1:¥2.8476
10:¥2.0227
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.60681
参考库存:33631
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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