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晶体管
FGA40T65SHD参考图片

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FGA40T65SHD

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库存:4,015(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.883
32.883
10
¥27.9675
279.675
100
¥24.2837
2428.37
250
¥22.9729
5743.225
500
¥20.6677
10333.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.14 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
268 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA40T65SHD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA40T65SHD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8591
500:¥6.0681
1,000:¥4.7912
参考库存:6377
晶体管
IGBT 晶体管 650V/50 FAST IGBT FSII TO
1:¥35.7306
10:¥30.4309
100:¥26.3516
250:¥24.973
500:¥22.4418
参考库存:6779
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
参考库存:18381
晶体管
IGBT 模块 1700V 600A F/DIODE
1:¥1,474.6387
5:¥1,439.1341
10:¥1,403.4035
25:¥1,383.7302
参考库存:5923
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.5764
1,000:¥2.0566
2,500:¥2.0566
参考库存:18385
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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