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晶体管
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IKP20N65H5

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
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数量单价合计
1
¥22.0576
22.0576
10
¥18.7467
187.467
100
¥14.9838
1498.38
500
¥13.1419
6570.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
42 A
Pd-功率耗散
125 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
高度
15.95 mm
长度
10.36 mm
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
宽度
4.57 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKP20N65H5XKSA1 SP001133078
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IKP20N65H5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGB30H65FB
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a D2PAK package
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.8368
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MTM684110LBF
Panasonic
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PMDPB80XP,115
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3,000:¥1.11418
9,000:¥1.04525
24,000:¥0.9831
45,000:¥0.9605
99,000:¥0.92999
参考库存:35013
SK830321KL
Panasonic
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5,000:¥1.5707
10,000:¥1.5142
25,000:¥1.4577
50,000:¥1.4125
参考库存:35018
DMTH10H015SPSQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
2,500:¥4.2375
参考库存:35023

  • 海量现货

    50万现货SKU

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