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晶体管
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KSP2907ABU

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
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2.0001
10
¥1.3221
13.221
100
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55.37
1,000
¥0.37629
376.29
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
集电极—基极电压 VCBO
- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 1.6 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSP2907A
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
封装
Bulk
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 0.6 A
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
单位重量
179 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM60N600CI
Taiwan Semiconductor
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MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm
4,000:¥7.2998
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2N4236
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥261.4142
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MG12300D-BN2MM
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IGBT 模块 1200V 300A Dual 150TVj
1:¥1,475.328
5:¥1,436.908
10:¥1,410.7824
25:¥1,364.6784
参考库存:33293
CZT2955 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power
2,000:¥4.9155
10,000:¥4.7234
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A3T23H450W23SR6
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H450W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,069.8388
5:¥1,048.866
10:¥999.9935
25:¥978.9416
100:¥929.99
150:¥865.1393
参考库存:7286

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