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晶体管
NTLJS3113PT1G参考图片

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NTLJS3113PT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET PFET 2X2 20V 9.5A 42MOHM
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数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.3787
33.787
100
¥2.0566
205.66
1,000
¥1.5933
1593.3
3,000
¥1.356
4068
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WDFN-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.8 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
670 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTLJS3113P
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
2 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
5.9 S
下降时间
56.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
6.9 ns
单位重量
9 mg
商品其它信息
优势价格,NTLJS3113PT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual Complementary
1:¥1.8419
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:97114
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V 500MA NPN
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:15991
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:14508
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 75A 1200V
1:¥967.0314
5:¥948.0474
10:¥903.8644
25:¥884.8917
参考库存:1610
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN SOT-363
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:403197
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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