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晶体管
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IRGP4660DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 60A 330W 140nC
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数量单价合计
1
¥70.3877
70.3877
10
¥63.619
636.19
25
¥60.7036
1517.59
100
¥52.7145
5271.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247AC-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
330 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001534070
单位重量
38 g
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDP15N40
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 400V N-Channel
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
参考库存:9905
FDMS6681Z
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET -30V P-Channel PowerTrench
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,000:¥6.6896
3,000:¥6.6896
参考库存:196047
NTD14N03RT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 25V 14A N-Channel
1:¥3.2996
10:¥2.6894
100:¥1.6385
1,000:¥1.2656
2,500:¥1.08367
参考库存:39419
FDC642P-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET P-CHANNEL 2.5V PowerTrench MOS
1:¥4.9946
10:¥4.1697
100:¥2.5312
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.6724
参考库存:44891
DMC964040R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥4.9946
10:¥3.8759
100:¥3.4013
500:¥3.0397
8,000:¥1.8871
参考库存:44168

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