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晶体管
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IHW40N60RF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
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数量单价合计
1
¥35.2673
35.2673
10
¥29.9676
299.676
100
¥25.9674
2596.74
250
¥24.5888
6147.2
500
¥22.0576
11028.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
305 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW40N60RFFKSA1 IHW4N6RFXK SP000621080
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IHW40N60RF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIGNAL TRANSISTOR
1:¥2.7685
10:¥1.7628
100:¥0.79891
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:15036
晶体管
MOSFET 30V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
1:¥8.7575
10:¥7.232
100:¥5.5483
500:¥4.7686
1,000:¥3.7742
3,000:¥3.5143
参考库存:1543
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 30V, 95A, 3.6mOhm
1:¥5.989
10:¥5.2206
100:¥4.0454
500:¥2.9945
2,500:¥2.1131
5,000:查看
参考库存:14480
晶体管
MOSFET 250mW -20Vdss
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:16277
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥4.7686
10:¥3.8759
100:¥2.938
500:¥2.4295
3,000:¥2.4295
参考库存:34204
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    50万现货SKU

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