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晶体管
SIHG25N50E-GE3参考图片

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SIHG25N50E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥32.8152
32.8152
10
¥29.2783
292.783
100
¥23.9786
2397.86
250
¥22.0576
5514.4
500
¥19.436
9718
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
145 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
19 ns
商品其它信息
优势价格，SIHG25N50E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC848A-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.1921
45,000:¥0.1695
参考库存:399499
BUK7610-100B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
4,800:¥6.8478
9,600:¥6.5879
参考库存:36463
BC849C,235
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS LOW NOISE
10,000:¥0.23052
20,000:¥0.20792
50,000:¥0.18419
100,000:¥0.15368
参考库存:36468
DDTA143EE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 4.7K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:36473
DSC9A01S0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥1.4125
参考库存:36478

  • 海量现货

    50万现货SKU

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