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晶体管
IRFB7440PBF参考图片

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IRFB7440PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 208W
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数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.2943
102.943
100
¥7.91
791
500
¥7.0286
3514.3
1,000
¥5.5483
5548.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
135 nC
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
产品
HEXFET Power MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001566700
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB7440PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS PNP SW 40V 600 MA
1:¥0.99892
10:¥0.84524
100:¥0.29945
1,000:¥0.20001
30,000:¥0.12317
60,000:查看
参考库存:26519
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 12.5A 550V 45W 1800pF 0.48
1:¥22.1254
10:¥17.8314
100:¥16.2155
250:¥14.6787
参考库存:26524
晶体管
MOSFET N-CHAN 55V 120A
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6842
500:¥10.2152
800:¥8.4524
参考库存:2959
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.50737
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:7766
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 921-960MHz 150Watt Gain 18dB
1:¥963.4154
5:¥884.0442
10:¥793.373
25:¥702.7018
参考库存:26533
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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