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晶体管
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ZXTN2005ZTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25V NPN Low Sat
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库存：10,330(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2432
52.432
100
¥3.3787
337.87
1,000
¥2.7007
2700.7
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
200 mV
最大直流电集电极电流
5.5 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN2005
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.6 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
5.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
2100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB80R290C3AATMA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1,000:¥21.5152
2,000:¥20.4417
参考库存:29092
SI4364DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
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MOSFET 30V 20A 1.6W
2,500:¥13.3679
5,000:¥12.8368
参考库存:29097
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Microsemi
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥924.6112
参考库存:29102
VS-GT200TP065N
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
24:¥748.3425
48:¥723.3695
72:¥713.4594
参考库存:29107
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4,000:¥3.8759
6,000:¥3.6838
10,000:¥3.5934
26,000:¥3.5143
参考库存:29112

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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