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晶体管
SPB18P06PGATMA1参考图片

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SPB18P06PGATMA1

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库存:5,931(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.8366
8.8366
10
¥7.5597
75.597
100
¥5.8082
580.82
500
¥5.1302
2565.1
1,000
¥4.0567
4056.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
18.7 A
Rds On-漏源导通电阻
101 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
81.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
XPB18P06
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
G SP000102181 SPB18P06P SPB18P6PGXT
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,SPB18P06PGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥6.0116
500:¥5.311
1,000:¥4.1923
5,000:¥4.1923
参考库存:22498
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS
1:¥8.6784
10:¥7.4467
100:¥5.7178
500:¥5.0511
2,500:¥3.5369
10,000:查看
参考库存:13330
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.6724
参考库存:281807
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 45V 20W NPN
1:¥5.2997
10:¥4.3957
100:¥2.8363
1,000:¥2.2713
2,500:¥1.921
参考库存:18899
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
3,000:¥4.5991
9,000:查看
参考库存:8951
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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