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晶体管
2SB1201S-E参考图片

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2SB1201S-E

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 50V
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库存:9,869(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.0906
40.906
100
¥2.4973
249.73
1,000
¥1.9323
1932.3
2,500
¥1.6498
4124.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
150 mV, - 300 mV
最大直流电集电极电流
4 A, - 4 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SB1201
封装
Bulk
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
2 A
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,2SB1201S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor NPN
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.5086
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6046
参考库存:36360
晶体管
MOSFET 600V, N-Channel MOSFET, UniFET-II
1:¥8.6106
10:¥7.4015
100:¥5.6839
500:¥5.0172
参考库存:9447
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
3,000:¥2.4634
参考库存:17444
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥35.5724
10:¥29.4252
100:¥24.2837
250:¥23.5153
500:¥21.0519
参考库存:5061
晶体管
IGBT 晶体管 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:5573
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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