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晶体管
IRF6613TRPBF参考图片

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IRF6613TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
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数量单价合计
1
¥14.3736
14.3736
10
¥12.2153
122.153
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
4,800
¥6.3732
30591.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-MT
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.05 mm
商标
Infineon Technologies
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001526876
商品其它信息
优势价格，IRF6613TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTRA094252FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥878.2021
参考库存:28966
PTRA093302FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
250:¥768.40
参考库存:28971
2N5882
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥282.2288
250:¥257.9564
参考库存:28976
2N5195 SL H
Central Semiconductor
晶体管
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1,300:¥4.5539
2,600:¥4.0454
10,400:¥3.8872
参考库存:28981
STB11NM60T4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
1:¥26.668
10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
1,000:¥14.0572
2,000:查看
参考库存:28986

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    50万现货SKU

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