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晶体管
IRF6613TRPBF参考图片

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IRF6613TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
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数量单价合计
1
¥14.3736
14.3736
10
¥12.2153
122.153
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
4,800
¥6.3732
30591.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-MT
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.05 mm
商标
Infineon Technologies
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001526876
商品其它信息
优势价格,IRF6613TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor SOT363 T&R 3K
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:36440
晶体管
MOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
3,000:¥3.277
9,000:查看
参考库存:20995
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.7684
参考库存:425997
晶体管
MOSFET T8 60V LOW COSS
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3563
1,000:¥6.0907
1,500:¥6.0907
参考库存:36449
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:36454
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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