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晶体管
HN1C03FU-B(TE85L,F参考图片

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HN1C03FU-B(TE85L,F

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.486
24.86
100
¥1.3899
138.99
1,000
¥1.01474
1014.74
3,000
¥0.87575
2627.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
US-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
25 V
集电极—射极饱和电压
42 mV
最大直流电集电极电流
300 mA
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HN1C03
直流电流增益 hFE 最大值
1200
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,HN1C03FU-B(TE85L,F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V NPN Low Sat
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:22117
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:163179
晶体管
MOSFET -30V P-Channel Power Trench
1:¥6.3732
10:¥5.4466
100:¥4.181
500:¥3.6951
3,000:¥2.5877
9,000:查看
参考库存:118596
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 40V Dual Complementary
1:¥1.6159
10:¥1.469
100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:182123
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥1.4577
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:42210
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    50万现货SKU

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