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晶体管
ZTX618参考图片

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ZTX618

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain
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库存:18,689(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.9155
49.155
100
¥3.164
316.4
1,000
¥2.5312
2531.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
210 mV
最大直流电集电极电流
3.5 A
增益带宽产品fT
140 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX618
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 10 mA, 2 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 10 mA, 2 V, 300 at 200 mA, 2 V, 170 at 3 A, 2 V, 40 at 10 A, 2 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
450 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX618的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) I2C BUS 8Kbit EEPROM
2,500:¥2.6216
10,000:¥2.5199
25,000:¥2.4408
参考库存:47188
晶体管
MOSFET N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect
1:¥51.1777
10:¥46.2622
25:¥44.1039
100:¥38.2618
参考库存:3916
晶体管
MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
1:¥49.8669
10:¥47.799
25:¥43.7988
50:¥41.8778
参考库存:4033
晶体管
MOSFET
1:¥25.4363
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
3,000:¥12.8368
6,000:查看
参考库存:4665
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
1:¥38.0358
10:¥32.2728
100:¥27.9675
250:¥26.5889
参考库存:4402
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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