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晶体管
SPA08N80C3XKSA1参考图片

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SPA08N80C3XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
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库存：7,087(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.2156
18.2156
10
¥15.5262
155.262
100
¥12.3735
1237.35
500
¥10.8367
5418.35
1,000
¥8.9948
8994.8
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
560 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SP000216310 SPA08N80C3 SPA8N8C3XK
单位重量
2.565 g
商品其它信息
优势价格，SPA08N80C3XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP600N25N3 G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 25A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥13.9103
500:¥12.1362
参考库存:7346
APT13005DTF-G1
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 450V NPN High Volt PWR Trans 450BVceo
1:¥6.0681
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
参考库存:4368
ZTX450STZ
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:12095
HN1C03F-B(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:31557
ULN2003AIPW
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1:¥5.537
10:¥4.6104
100:¥2.9832
1,000:¥2.3843
参考库存:6389

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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