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晶体管
NSVMMBT6429LT1G参考图片

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NSVMMBT6429LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Bipolar Trnsistr
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库存:21,940(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.3165
23.165
100
¥0.99892
99.892
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
55 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
200 mV
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
700 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBT6429L
直流电流增益 hFE 最大值
1250 at 100 uA, 5 VDC
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
500 at 100 uA, 5 VDC
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,NSVMMBT6429LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.15KA
1:¥6,125.9899
5:¥6,028.0189
参考库存:2709
晶体管
MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
1:¥18.2156
10:¥15.5262
100:¥12.3735
500:¥10.8367
1,000:¥8.9948
3,000:¥8.3733
参考库存:17701
晶体管
MOSFET 1000V N-Channel
1:¥24.1255
10:¥20.5208
100:¥17.7523
250:¥16.9048
500:¥15.142
参考库存:8828
晶体管
MOSFET -30V P-Channel PowerTrench
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2884
2,500:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:21180
晶体管
IGBT 晶体管 600V 20A Field Stop
1:¥26.894
10:¥22.8938
100:¥19.8202
250:¥18.8258
800:¥14.2154
2,400:查看
参考库存:6642
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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